半导体放电管的用法，半导体放电管的原理

有关半导体放电管的用法，半导体放电管的工作原理，包括阻断区、雪崩区、负阻区、低阻通态区等，以及半导体放电管的特性曲线，半导体放电管的主要特性参数等。

一、半导体放电管的工作状态

反向工作状态(K端接正、A端接负) ，正向工作状态(A端接正、K端接负) 。

①阻断区：此时器件两端所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，起了阻挡电流的作用，外加电压几乎都加在了J2上。

②雪崩区：当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时，反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时，结区内电场大大增强，从而引起倍增效应加强。于是，通过J2结的电流突然增大，并使流过器件的电流也增大，这就是电压增加，电流急剧增加的雪崩区。

③负阻区：当外加电压增加到大于VBO时，由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空穴对，此时这些载流子在强场的作用下，电子进入n2区，空穴进入p1区，由于不能很快复合而分别堆积起来，使J2空间电荷区变窄。

由此使p1区电位升高、n2区电位下降，起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱，降落在J2结上的外电压将下降，雪崩效应也随之减弱。
另外，J1、J3结的正向电压却有所增加，注入增强，造成通过J2结的电流增大，于是出现了电流增加电压减小的负阻现象。

④低阻通态区：雪崩效应使J2结两侧形成空穴和电子的积累，造成J2结反偏电压减小；同时又使J1、J3结注入增强，电流增大，因而J2结两侧继续有电荷积累，结电压不断下降。当电压下降到雪崩倍增完全停止，结电压全部被抵消后，J2结两侧仍有空穴和电子积累时，J2结变为正偏。

此时，J1、J2和J3全部为正偏，器件可以通过大电流，因而处于低阻通态区。完全导通时，其伏安特性曲线与整流元件相似。

二、半导体放电管的特性曲线

三、半导体放电管的主要特性参数

①断态电压VRM与漏电流IRM：断态电压VRM表示半导体过压保护器不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流IRM。

②击穿电压VBR：通过规定的测试电流IR(一般为1mA)时的电压，这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。

③转折电压VBO与转折电流IBO：当电压升高达到转折电压VBO(对应的电流为转折电流IBO)时，半导体过压保护器完全导通，呈现很小的阻抗，两端电压VT立即下降到一个很低的数值(一般为5V左右)。

④峰值脉冲电流IPP：半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。

⑤维持电流IH：半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。一旦流过它的电流小于维持电流IH，它就恢复到截止状态。

⑥静态电容C：半导体过压保护器在静态时的电容值。